Der S9012G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor S9012G kann eine Gleichstromverstärkung von 112 bis 166 haben. Die Gleichstromverstärkung des S9012 liegt im Bereich von 64 bis 300, die des S9012D im Bereich von 64 bis 91, die des S9012E im Bereich von 78 bis 112, die des S9012F im Bereich von 96 bis 135, die des S9012H im Bereich von 144 bis 202, die des S9012I im Bereich von 190 bis 300.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum S9012G ist der S9013G.
