Bipolartransistor SS8550

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der SS8550 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor SS8550 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS8550B liegt im Bereich von 85 bis 160, die des SS8550C im Bereich von 120 bis 200, die des SS8550D im Bereich von 160 bis 300.Der komplementäre NPN-Transistor zum SS8550 ist der SS8050.Der MMBT3702 (SOT-23) und MPS8550S (SOT-23) ist die SMD-Version des SS8550-Transistors.Sie können den Transistor SS8550 durch einen MPS750, MPS750G oder MPS8550 ersetzen.