Bipolartransistor NTE398
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE398
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des NTE398
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE398
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