Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB940-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB940-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SB940-P im Bereich von 100 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940-Q-Transistor könnte nur mit "B940-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940-Q ist der 2SD1264-Q.