Bipolartransistor 2SB940-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB940-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB940-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SB940-P im Bereich von 100 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940-Q-Transistor könnte nur mit "B940-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940-Q ist der 2SD1264-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB940-Q

Sie können den Transistor 2SB940-Q durch einen 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SB546, 2SB546A, 2SB547, 2SB630, 2SB861, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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