Bipolartransistor MJ2501

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ2501

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ2501

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ2501 ist der MJ3001.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ2501

Sie können den Transistor MJ2501 durch einen 2N6650, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ4031, MJ4032, TIP606, TIP607, TIP646 oder TIP647 ersetzen.
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