Bipolartransistor MJ11033G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11033G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -50 A
  • Verlustleistung, max: 300 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 18000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11033G ist die bleifreie Version des MJ11033-Transistors

Pinbelegung des MJ11033G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJ11033G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11033G ist der MJ11032G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11033G

Sie können den Transistor MJ11033G durch einen MJ11033 ersetzen.
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