Bipolartransistor KSD1691-Y
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1691-Y
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1691-L transistor
Pinbelegung des KSD1691-Y
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors KSD1691-Y
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1691-Y
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