Bipolartransistor KSD1691-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1691-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-L transistor

Pinbelegung des KSD1691-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1691-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1691 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KSD1691-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1691-O im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1691-Y ist der KSB1151-Y.

SMD-Version des Transistors KSD1691-Y

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD1691-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1691-Y

Sie können den Transistor KSD1691-Y durch einen 2SD1691, 2SD1691-L, KTD1691 oder KTD1691-O ersetzen.
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