Bipolartransistor 2SD1691-L

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1691-L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1691-L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1691-L kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1691 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SD1691-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1691-M im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1691-L-Transistor könnte nur mit "D1691-L" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1691-L ist der 2SB1151-L.

SMD-Version des Transistors 2SD1691-L

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1691-L-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1691-L

Sie können den Transistor 2SD1691-L durch einen KSD1691, KSD1691-Y, KTD1691 oder KTD1691-O ersetzen.
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