Bipolartransistor KTD1691-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1691-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-L transistor

Pinbelegung des KTD1691-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD1691-O kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1691 liegt im Bereich von 160 bis 400, die des KTD1691-Y im Bereich von 200 bis 400.

SMD-Version des Transistors KTD1691-O

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTD1691-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1691-O

Sie können den Transistor KTD1691-O durch einen 2SD1691, 2SD1691-L, KSD1691 oder KSD1691-Y ersetzen.
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