Bipolartransistor KTD1691

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD1691

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691 transistor

Pinbelegung des KTD1691

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD1691 kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1691-O liegt im Bereich von 160 bis 320, die des KTD1691-Y im Bereich von 200 bis 400.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD1691 ist der KTB1151.

SMD-Version des Transistors KTD1691

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTD1691-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD1691

Sie können den Transistor KTD1691 durch einen 2SD1691 oder KSD1691 ersetzen.
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