Bipolartransistor KSD1691

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1691

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691 transistor

Pinbelegung des KSD1691

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1691 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1691-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1691-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSD1691-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1691 ist der KSB1151.

SMD-Version des Transistors KSD1691

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD1691-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1691

Sie können den Transistor KSD1691 durch einen 2SD1691 ersetzen.
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