Bipolartransistor KSD1691-G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD1691-K transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD1691-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1691 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KSD1691-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSD1691-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1691-G ist der KSB1151-G.Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD1691-G-Transistors.Sie können den Transistor KSD1691-G durch einen 2SD1691, 2SD1691-K, KTD1691 oder KTD1691-Y ersetzen.