Bipolartransistor BD877

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD877 ist der BD878.Sie können den Transistor BD877 durch einen 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-K, 2SD985-L, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, BD879, KSB985, KSB985-O, KSB985-R, KSB985-Y, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O oder KSD1692-Y ersetzen.