Bipolartransistor KSD1692-Y
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1692-Y
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 4000 bis 10000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1692-L transistor
Pinbelegung des KSD1692-Y
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1692-Y
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