Bipolartransistor KSD1692-G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8000 bis 20000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD1692-K transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSD1692-G kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1692 liegt im Bereich von 2000 bis 20000, die des KSD1692-O im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSD1692-Y im Bereich von 4000 bis 10000.Sie können den Transistor KSD1692-G durch einen 2SD1692, 2SD1692-K, BD681, BD681G oder MJE244 ersetzen.