Bipolartransistor BD878

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD878

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD878

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD878 ist der BD877.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD878

Sie können den Transistor BD878 durch einen 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, 2SB794, 2SB794-K, 2SB794-L, 2SB794-M, 2SB795, 2SB795-K, 2SB795-L, 2SB795-M, BD880, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y, KSB794, KSB794-O, KSB794-R, KSB794-Y, KSB795, KSB795-O, KSB795-R oder KSB795-Y ersetzen.
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