Bipolartransistor KSD1692-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1692-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1692-M transistor

Pinbelegung des KSD1692-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1692-O kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1692 liegt im Bereich von 2000 bis 20000, die des KSD1692-G im Bereich von 8000 bis 20000, die des KSD1692-Y im Bereich von 4000 bis 10000.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1692-O

Sie können den Transistor KSD1692-O durch einen 2SD1692, 2SD1692-M, BD681, BD681G oder MJE244 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com