Bipolartransistor KSD1692

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1692

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1692 transistor

Pinbelegung des KSD1692

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1692 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1692-G liegt im Bereich von 8000 bis 20000, die des KSD1692-O im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSD1692-Y im Bereich von 4000 bis 10000.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1692

Sie können den Transistor KSD1692 durch einen 2SD1692, BD681, BD681G oder MJE244 ersetzen.
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