Bipolartransistor BD442

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD442

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD442

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD442 ist der BD441.

SMD-Version des Transistors BD442

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD442-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD442

Sie können den Transistor BD442 durch einen 2N4920, 2N4920G, BD442G, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-126 package, BD433: 36 watts
  • TO-126 package, BD433G: 36 watts
  • TO-126 package, BD436: 36 watts
  • TO-126 package, BD436G: 36 watts
  • TO-126 package, BD439: 36 watts
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