Bipolartransistor BD442
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD442
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 36 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD442
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors BD442
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD442
Equivalent
- TO-126 package, BD433: 36 watts
- TO-126 package, BD433G: 36 watts
- TO-126 package, BD436: 36 watts
- TO-126 package, BD436G: 36 watts
- TO-126 package, BD439: 36 watts
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