Bipolartransistor BD680

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD680

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE702 transistor

Pinbelegung des BD680

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD680 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD680 ist der BD679.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD680

Sie können den Transistor BD680 durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD680G-Transistor ist die bleifreie Version des BD680.
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