Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1167-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1167-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1167-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1167 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1167-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1167-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1167-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1167-R-Transistor könnte nur mit "B1167-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1167-R ist der 2SD1724-R.
SMD-Version des Transistors 2SB1167-R
Der BDP954 (SOT-223) und BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1167-R-Transistors.
