Bipolartransistor 2SB1067

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1067-Transistor könnte nur mit "B1067" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1067 ist der 2SD1509.Sie können den Transistor 2SB1067 durch einen 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O oder KSB1149-Y ersetzen.