Bipolartransistor 2SD1380-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1380-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 82 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1380-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1380-P kann eine Gleichstromverstärkung von 82 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1380 liegt im Bereich von 82 bis 390, die des 2SD1380-Q im Bereich von 120 bis 270, die des 2SD1380-R im Bereich von 180 bis 390.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1380-P-Transistor könnte nur mit "D1380-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1380-P ist der 2SB1009-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1380-P

Sie können den Transistor 2SD1380-P durch einen 2SC1162, 2SC3422, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794A, BD131, BD175, BD177, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD375, BD377, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794A, KSE180, KSE181, KTC2814, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE222, MJE223, MJE225, MJE521 oder MJE521G ersetzen.
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