Bipolartransistor 2SD1380-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1380-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 270
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1380-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1380-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1380 liegt im Bereich von 82 bis 390, die des 2SD1380-P im Bereich von 82 bis 180, die des 2SD1380-R im Bereich von 180 bis 390.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1380-Q-Transistor könnte nur mit "D1380-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1380-Q ist der 2SB1009-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1380-Q

Sie können den Transistor 2SD1380-Q durch einen 2SC1162, 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794A, BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD375, BD377, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794A, MJE222, MJE225, MJE521 oder MJE521G ersetzen.
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