Bipolartransistor 2SD1264-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1264-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1264-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1264-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1264 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SD1264-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1264-P-Transistor könnte nur mit "D1264-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1264-P ist der 2SB940-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1264-P

Sie können den Transistor 2SD1264-P durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SC4883, 2SC4883A, 2SC5171, 2SD1138, 2SD1264A, 2SD1264A-P, 2SD401, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, KTD2061, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJF15030, MJF15030G, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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