Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1009-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1009-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1009-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1009 liegt im Bereich von 82 bis 390, die des 2SB1009-P im Bereich von 82 bis 180, die des 2SB1009-R im Bereich von 180 bis 390.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1009-Q-Transistor könnte nur mit "B1009-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1009-Q ist der 2SD1380-Q.
