Bipolartransistor 2SA886

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA886

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA886

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA886 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA886Q liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA886R im Bereich von 120 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA886-Transistor könnte nur mit "A886" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA886 ist der 2SC1847.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA886

Sie können den Transistor 2SA886 durch einen 2SA1096, 2SA1096A, 2SA1214, 2SA1217, 2SA1359, 2SA963, 2SA986, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD227, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KSE172, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235, MJE252, MJE371, MJE371G, MJE710, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com