Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA628-G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA628-G
Der 2SA628-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA628-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA628 liegt im Bereich von 55 bis 800, die des 2SA628-C im Bereich von 55 bis 110, die des 2SA628-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA628-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA628-F im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA628-G-Transistor könnte nur mit "A628-G" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SA628-G
Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SA628-G-Transistors.
