Bipolartransistor BC257

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC257

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC257

Der BC257 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC257 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC257A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC257B im Bereich von 200 bis 450, die des BC257C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC257 ist der BC167.

SMD-Version des Transistors BC257

Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC257-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC257

Sie können den Transistor BC257 durch einen 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528 oder 2SA1529 ersetzen.
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