Bipolartransistor BC258

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC258

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC258

Der BC258 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC258 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC258A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC258B im Bereich von 200 bis 450, die des BC258C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC258 ist der BC168.

SMD-Version des Transistors BC258

Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC258-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC258

Sie können den Transistor BC258 durch einen 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA628, BC257, MPS3638, MPS3638A, PN3638 oder PN3638A ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com