Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1096-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 220
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1096-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1096-R kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1096 liegt im Bereich von 80 bis 220, die des 2SA1096-Q im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1096-R-Transistor könnte nur mit "A1096-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1096-R ist der 2SC2497-S.