Bipolartransistor 2N6383

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6383

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6383

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6383 ist der 2N6648.

SMD-Version des Transistors 2N6383

Der 2STF1550 (SOT-89) und 2STN1550 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N6383-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6383

Sie können den Transistor 2N6383 durch einen 2N6384, 2N6385, BD315, BDX65, BDX65A, BDX67, BDX67A, BDX69, BDX69A, KD501, KD502, KD503, MJ11012, MJ11012G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, TIP600, TIP601, TIP640 oder TIP641 ersetzen.
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