Bipolartransistor 2N3789

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3789

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 90
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N3789

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N3789 ist der 2N3713.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3789

Sie können den Transistor 2N3789 durch einen 2N3790, 2N5875, 2N5876, 2N5879, 2N5880, 2N5883, 2N5883G, 2N5884, 2N5884G, 2N6029, 2N6229, 2N6246, 2N6247, 2N6248, BD316, BD318, MJ14001, MJ14001G, MJ14003, MJ14003G, MJ2940, MJ2941, MJ4502, MJ4502G oder NTE180 ersetzen.
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