Bipolartransistor 2N3713

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3713

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 90
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N3713

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N3713 ist der 2N3789.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3713

Sie können den Transistor 2N3713 durch einen 2N3714, 2N5039, 2N5629, 2N5632, 2N5671, 2N5672, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD315, BD317, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840, MJ2841, MJ802, MJ802G oder NTE181 ersetzen.
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