Bipolartransistor 2N5632

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5632

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5632

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5632 ist der 2N6229.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5632

Sie können den Transistor 2N5632 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5629, 2N5672, BD317, BUY69C, BUY70C, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.
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