Bipolartransistor NTE181

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE181

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des NTE181

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE181 ist der NTE180.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE181

Sie können den Transistor NTE181 durch einen 2N5671, 2N5672, MJ802 oder MJ802G ersetzen.

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