Bipolartransistor MJ802G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3
• Der MJ802G ist die bleifreie Version des MJ802-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ802G ist der MJ4502G.Sie können den Transistor MJ802G durch einen 2N5671, 2N5672, MJ802 oder NTE181 ersetzen.