Bipolartransistor MJ802

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ802 ist der MJ4502.Sie können den Transistor MJ802 durch einen 2N5671, 2N5672, MJ802G oder NTE181 ersetzen.Der MJ802G-Transistor ist die bleifreie Version des MJ802.