Transistor bipolaire MPS8050S-D

Caractéristiques électriques du transistor MPS8050S-D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 190 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8050D transistor

Brochage du MPS8050S-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8050S-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du MPS8050S est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050S-B entre 85 à 160, celui du MPS8050S-C entre 120 à 200.

Marquage

Le transistor MPS8050S-D est marqué "BHD".

Complémentaire du transistor MPS8050S-D

Le transistor PNP complémentaire du MPS8050S-D est le MPS8550S-D.

Transistor MPS8050S-D en boîtier TO-92

Le MPS8050D est la version TO-92 du MPS8050S-D.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS8050S-D

Vous pouvez remplacer le transistor MPS8050S-D par FMMT619.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com