Transistor bipolaire MPS8050S

Caractéristiques électriques du transistor MPS8050S

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 190 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8050 transistor

Brochage du MPS8050S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8050S peut avoir un gain en courant continu de 85 à 300. Le gain en courant continu du MPS8050S-B est compris entre 85 à 160, celui du MPS8050S-C entre 120 à 200, celui du MPS8050S-D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor MPS8050S

Le transistor PNP complémentaire du MPS8050S est le MPS8550S.

Transistor MPS8050S en boîtier TO-92

Le MPS8050 est la version TO-92 du MPS8050S.
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