Caractéristiques électriques du transistor MPSW55G
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -4 V
Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 1 W
Gain de courant (hfe): 50
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPSW55G est la version sans plomb du transistor MPSW55
Brochage du MPSW55G
Le MPSW55G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW55G
Le transistor NPN complémentaire du MPSW55G est le MPSW05G.
Version SMD du transistor MPSW55G
Le BCW89 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) et SMBTA55 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW55G.
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW55G