Transistor bipolaire MPSA55G
Caractéristiques électriques du transistor MPSA55G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -4 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 100
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSA55G est la version sans plomb du transistor MPSA55
Brochage du MPSA55G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSA55G
Version SMD du transistor MPSA55G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSA55G
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