Transistor bipolaire KTB1369O

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 140
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KTB1369O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KTB1369 est compris entre 70 à 240, celui du KTB1369Y entre 120 à 240.Le transistor NPN complémentaire du KTB1369O est le KTD2061O.Vous pouvez remplacer le transistor KTB1369O par 2SA1009, 2SA1668, 2SA1859A, 2SB630, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 ou MJE5851G.