Transistor bipolaire KTD2061O

Caractéristiques électriques du transistor KTD2061O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du KTD2061O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD2061O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KTD2061 est compris entre 70 à 240, celui du KTD2061Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KTD2061O

Le transistor PNP complémentaire du KTD2061O est le KTB1369O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD2061O

Vous pouvez remplacer le transistor KTD2061O par 2SC4382, 2SC4883A, 2SD1264A, 2SD1264A-Q, 2SD610, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, FJP5200, FJPF5200, MJE15032 ou MJE15032G.
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