Transistor bipolaire KSD882-O

Caractéristiques électriques du transistor KSD882-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882O transistor

Brochage du KSD882-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD882-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KSD882 est compris entre 60 à 400, celui du KSD882-G entre 200 à 400, celui du KSD882-R entre 60 à 120, celui du KSD882-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSD882-O

Le transistor PNP complémentaire du KSD882-O est le KSB772-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD882-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSD882-O par 2SC2877, 2SC3422, 2SD1348, 2SD1348-R, 2SD1683, 2SD1683-R, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD793, 2SD793-Q, 2SD794, 2SD794-O, 2SD794A, 2SD794A-O, 2SD882, 2SD882O, 2SD882Q, BD131, BD175, BD175-16, BD177, BD185, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-O, KSD794A, KSD794A-O, KSE180, KSE181, KSH882, KSH882-O, KTC2804, KTD882, KTD882-O, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE222, MJE223, MJE225 ou MJE520.
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