Caractéristiques électriques du transistor 2SD882Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
Tension collecteur-base maximum: 40 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 90 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD882Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD882Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD882 est compris entre 60 à 400, celui du 2SD882E entre 200 à 400, celui du 2SD882GR entre 200 à 400, celui du 2SD882O entre 100 à 200, celui du 2SD882P entre 160 à 320, celui du 2SD882R entre 60 à 120, celui du 2SD882Y entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD882Q peut n'être marqué que D882Q.
Complémentaire du transistor 2SD882Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD882Q est le 2SB772Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD882Q