Transistor bipolaire KTD882
Caractéristiques électriques du transistor KTD882
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 400
- Fréquence de transition minimum: 90 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor
Brochage du KTD882
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTD882
Substituts et équivalents pour le transistor KTD882
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com