Transistor bipolaire BD175

Caractéristiques électriques du transistor BD175

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD175

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD175 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 250. Le gain en courant continu du BD175-10 est compris entre 63 à 160, celui du BD175-16 entre 100 à 250, celui du BD175-6 entre 40 à 60.

Complémentaire du transistor BD175

Le transistor PNP complémentaire du BD175 est le BD176.

Substituts et équivalents pour le transistor BD175

Vous pouvez remplacer le transistor BD175 par BD131, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225 ou MJE242.
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