Transistor bipolaire BD785

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD785 est le BD786.Vous pouvez remplacer le transistor BD785 par BD187, BD189, BD787, BD787G, BD789, MJE225 ou MJE242.