Transistor bipolaire KSD1616
Caractéristiques électriques du transistor KSD1616
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 135 à 600
- Fréquence de transition minimum: 160 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SD1616 transistor
Brochage du KSD1616
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD1616
Version SMD du transistor KSD1616
Transistor KSD1616 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSD1616
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